DRAM - Roundhill Memory ETF (DRAM 2.05%) 是有史以来第一只专门投资内存股的交易所交易基金 (ETF)，一经推出就表现强劲，该基金较 4 月 2 日推出时 27 美元的开盘价上涨了两倍。然而，最近该基金与内存股一起回落，较撰写本文时的高点下跌了 20% 以上。
由于该基金已远离高点，现在是购买 ETF 的时候吗？
新：戏剧
关键数据点
集中押注内存股
DRAM - Roundhill Memory ETF 不是典型的多元化基金，甚至也不是特定行业基金。这是内存市场的高度关注，尤其是 DRAM（动态随机存取内存），以及较小程度上的 NAND（闪存）内存。该ETF近75%的持股集中在三大DRAM制造商：美光（MU 1.24%）、三星和SK海力士。目前三者的权重分布相当均匀，美光最高，为 25.8%，SK 海力士最低，为 23.7%。
三大 DRAM 制造商基本上都处于同样的顺风车之中。随着对高带宽内存（HBM）（一种特殊形式的 DRAM）的需求的腾飞，DRAM 价格飙升。 HBM 与图形处理单元 (GPU) 和其他 AI 芯片打包在一起，以帮助优化其性能。随着人工智能推理的兴起，这种需求甚至更多地增加，人工智能推理往往更受内存限制，而不是受计算限制。由于推理预计将成为比训练更大的市场，因此对 HBM 的需求预计将保持强劲。
与此同时，HBM 占用的晶圆产能是普通 DRAM 的三倍以上，这加剧了当前的供应短缺。由于三大内存制造商专注于利润率较高的 HBM，导致当前供需失衡导致所有 DRAM 价格飞涨。
结果是，这三家公司的收入都大幅增长，毛利率也大幅上升。预计这种情况不会很快缓解，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 最近表示，他预计明年将出现有史以来最严重的 DRAM 供应短缺。他预测 2030 年之后市场供应仍将受到限制。
图片来源：盖蒂图片社。
这是一个典型的高周期性业务，三大 DRAM 制造商也首次锁定了长期合同。这应该有助于减少业务的一些周期性，并有助于股票获得更高的市盈率。
DRAM ETF 是参与内存市场的绝佳方式，让您不仅可以接触到三大 DRAM 厂商，还可以接触到 Sandisk 和日本公司 Kioxia 等 NAND 公司，它们都在寻求开发高带宽闪存 (HBF)。值得注意的是，ETF 有时会使用杠杆和总回报掉期，但这主要是出于税收目的，也是快速获得股票敞口的一种方式。 Roundhill 提供了 ETF 的独特杠杆版本，即 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF，但我一般不推荐杠杆 ETF。
总而言之，这是一只我更愿意将其视为个股的 ETF，而且我认为这是玩当前 DRAM 超级周期的好方法，看起来它在未来几年可能会有一些发展。