Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。
Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。