- 第一个 HBF 标准在联盟发布后六个月内展示,在 Google、Tenstorrent 的参与下扩大了生态系统 - SK hynix 执行副总裁 Kim Chun-sung 和副总裁 Kang Uk-song 在开幕日发表主题演讲,为基于“分层内存”的下一代人工智能基础设施提供解决方案 - 与 Google DeepMind•Sandisk 就“用 HBF 打破内存墙”进行小组讨论 - 第十代 (V10) 375 层4D NAND首次亮相展台,能效提升2.5倍——“通过HBF技术扩展内存和存储的边界……为提高系统效率的新架构做出贡献”
韩国首尔,2026 年 8 月 3 日 /美通社/ -- SK hynix Inc.(或“公司”,www.skhynix.com)今天(GMT+9)宣布与 Sandisk 合作,推出了下一代存储技术高带宽闪存 (HBF) 的第一个标准规范。
该公告恰逢“FMS(内存与存储的未来)2026”开幕之际,该活动于 8 月 4 日至 6 日(当地时间)在加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行。该公司将在活动期间通过主题演讲和小组讨论来展示 HBF 作为克服人工智能时代内存瓶颈的关键技术。
HBF 技术是介于 HBM 和 SSD 之间的新型存储层。它可实现类似于 HBM 的高速数据传输,同时利用 NAND 技术显着扩展容量。随着人工智能推理的扩展导致需要处理的数据量激增,HBF 作为一种同时解决带宽和容量可扩展性挑战的技术而受到关注。
这一里程碑是在今年 2 月推出该联盟约六个月后实现的,此前该联盟于 2025 年 8 月与 Sandisk 建立了初步标准化合作伙伴关系。基于两种堆栈配置(8 高和 16 高 NAND 芯片),容量规格覆盖高达 512 GB。带宽分为三个等级(Grade1~3),可提供从大约 0.4TB/s 到 3.0TB/s 的可扩展性能。
一个关键亮点是连接 HBF 技术和处理器的互连。 HBF 技术采用行业标准连接接口 UCIe 1 ,为跨不同处理器类型(包括 GPU 和 CPU)灵活集成 HBF 技术奠定了基础。
1 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express):一种开放标准接口规范,专为异构半导体小芯片的高速互连而设计。
气特性、HBF 芯片堆叠工艺的可靠性和封装指南、软件 I/O 指南。
该规范是通过全球最大的开放数据中心技术倡议开放计算项目(OCP)披露的,将其定位为整个行业的开放标准,而不是专有技术。
SK海力士计划利用此次发布扩大HBF技术在AI存储市场的采用,并培育周边生态系统。目前,Google 和 Tenstorrent 加入了 HBF 联盟,该联盟旨在扩大其影响范围,同时在开放合作的基础上提高技术成熟度和市场接受度。
在 FMS 2026 开幕当天(当地时间 8 月 4 日),SK 海力士执行副总裁 Kim Chun-sung(解决方案开发主管)和副总裁 Kang Uk-song(下一代产品规划主管)将发表题为“Agentic AI 时代通过分层内存编排高效 AI 基础设施”的联合主题演讲。
随着 Agentic AI 2 的快速商业化,需要处理的数据量不断增加,同时对更高速度和效率的需求也不断增长。认识到单一内存类型无法应对这些复杂的挑战,两位演讲者将介绍基于“分层内存”的下一代架构的必要性和未来方向,“分层内存”是一种将不同内存类型连接和优化为统一系统的框架。
2 代理人工智能:高级代理人工智能系统能够自主设定目标、制定计划和执行任务,无需人工干预。
8 月 6 日,SK 海力士副总裁 Lim Eui-cheol(解决方案 AT 负责人)、Sandisk 副总裁 Rajeev Nagabhirava 和 Google DeepMind 高级工程师马晓宇将参加题为“用高带宽闪存打破内存墙”的小组讨论。该会议将内存、存储和人工智能领域的主要领导者聚集在一起,探讨人工智能基础设施内存架构的根本性转变,并强调 HBF 作为变革性解决方案的潜力和作用。
此外,SK 海力士将在 FMS 2026 期间举办一个展位,其中包括合作伙伴专区、下一代技术专区和技术会议。
值得注意的是,该公司将首次公开展示目前正在开发的第十代(V10)375层4D NAND晶圆及产品。 375层4D NAND每瓦性能较上一代提升2.5倍,针对数据中心等需要高能效和性能的AI基础设施环境进行了优化。该公司计划明年初开始量产基于375层4D NAND的高性能、高容量eSSD,以巩固其在AI NAND市场的领导地位。
SK海力士还将展示涵盖移动、PC、汽车和机器人领域的多功能产品阵容,展示该公司在存储技术方面的竞争优势以及在人工智能时代与客户的合作成果。
SK海力士执行副总裁兼解决方案开发主管Kim Chun-sung表示:“随着人工智能应用的快速普及,我们正处于必须重新设计整体数据处理结构的时刻。”他补充道,“通过HBF,SK海力士将扩大内存和存储之间的界限,并有助于构建可提高整体系统效率的新架构。”
关于 SK 海力士公司
SK海力士公司总部位于韩国,是世界顶级半导体供应商,为全球众多尊贵客户提供动态随机存取存储器芯片(“DRAM”)和闪存芯片(“NAND闪存”)。该公司的普通股在韩国交易所交易,其美国存托股票在纳斯达克交易,其全球存托股票在卢森堡证券交易所上市。有关 SK hynix 的更多信息,请访问 www.skhynix.com、news.skhynix.com。
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